표면 반응을 이용하여 원자층 단위로 박막을 성장시키며

   cycle 수에 따라 증착되는 박막의 두께가 결정되기 때문에

   박막의 두께 조절이 매우 용이하다. 또한 대면적의 기판에서    CVD 보다 우수한 박막의 두께 균일성 특성을 나타내며,

   재현성 또한 우수한 특성을 보입니다.

   반응 원료의 열분해 반응을 이용하는 CVD와 달리 ALD는

   반응 원료의 chemisorption을 이용하기 때문에 CVD 보다

   증착 온도를 낮출 수 있는 장점이 있습니다.

   반응 원료의 chemisorption과 ligand의 exchange reaction을

   이용하며, 증착 온도에서 열분해 반응이 발생해서는 안되므로    반응 원료의 제약이 많은 단점이 있습니다.